Samsung đã phát triển phiên bản cuối cùng của mô-đun bộ nhớ DDR5 cho phân khúc trung tâm dữ liệu có dung lượng 512 GB. Điều này đạt được thông qua việc triển khai thiết kế DRAM 8 xếp chồng có ngăn xếp TSV (Through-Silicon-Vias) 8-Hi. Ngăn xếp có chiều cao 1,0mm và có tổng cộng 20 ngăn xếp trên mô-đun bộ nhớ được tách thành hai kênh chính. Các ngăn xếp TSV DDR5 cũng giảm khoảng cách giữa các khuôn tới 40% thông qua kỹ thuật xử lý tấm mỏng. Ngoài ra còn có các công nghệ quan trọng được triển khai như kết nối không lỗi cho TSV và khả năng làm mát tốt hơn với trở kháng luồng gió thấp hơn.

Samsung cũng đang chào hàng tốc độ bộ nhớ nhanh nhất với DDR5 đạt 7200 Mbps ở điện áp 1,1V. Những cải tiến tổng thể bao gồm hiệu suất cao hơn 40%, tốc độ nhanh hơn 2,2 lần, dung lượng bộ nhớ gấp đôi, tất cả đều ở mức 0,92 lần điện áp của DDR4. So với DDR4, DDR5 cung cấp hiệu suất bus cao hơn 18%. Hiệu quả cao hơn đạt được thông qua PMIC (Power Management In-Chip). PMIC giảm mũi cho hoạt động điện áp thấp và Samsung cũng đang sử dụng quy trình Cổng kim loại High-K, quy trình đầu tiên cho EDP (Xử lý dữ liệu điện tử) DRAM.

Một vài tính năng của bộ nhớ trung tâm dữ liệu cũng bao gồm ECC on-die, cải thiện tỷ lệ lỗi bit dẫn đến việc xử lý dữ liệu an toàn và đáng tin cậy hơn. Samsung tuyên bố rằng nó không dừng lại ở 512 GB DDR5. Họ cũng đã gợi ý về các mô-đun bộ nhớ DDR5 dung lượng Terabyte cho các máy chủ thế hệ tiếp theo và họ hy vọng DDR5 sẽ trở thành tiêu chuẩn điện toán chính vào năm 2023-2024.

Kiều Gia Huy | Nguồn: wccftech.com