Tin Tức
Samsung Electronics đấu tranh để tạo ra công nghệ xử lý GAA 3nm
Samsung Electronics được cho là tiếp tục gặp khó khăn trong công nghệ tiên tiến trong khi phát triển quy trình toàn diện cổng (GAA) 3nm.
“Gate-all-around, hoặc bóng bán dẫn GAA, là một cấu trúc bóng bán dẫn được sửa đổi trong đó cổng tiếp xúc với kênh từ mọi phía và cho phép tiếp tục mở rộng quy mô. Các bóng bán dẫn như vậy được gọi là toàn bộ cổng, hoặc GAA, bóng bán dẫn và các biến thể khác nhau đã được đề xuất.
– Lam Research Blog”
Quy trình GAA 3nm của Samsung Electronics được coi là “kém cạnh tranh” với công nghệ 3nm FinFET của TSMC khi nói đến chi phí và hiệu suất.
Samsung dự kiến bắt đầu sản xuất vào năm 2022 nhưng có thể phải đối mặt với sự chậm trễ nữa nếu báo cáo này là chính xác. TSMC theo kế hoạch sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt công nghệ quy trình FinFET 3nm vào quý 3 năm 2022.
Intel và Apple đã bắt đầu tạo đơn đặt hàng với TSMC cho công nghệ FinFET 3nm của họ, trong khi Samsung Electronics tiết lộ chương trình đầu tư vốn 205,5 tỷ USD sẽ có hiệu lực trong ba năm tới. Samsung đang có kế hoạch sử dụng số tiền đó vào các công nghệ chip.
Samsung sẽ ra mắt GAA thế hệ thứ nhất 3nm GAA Early và 32 GAA Plus thế hệ thứ hai (tương ứng là GAE và GAP), nhưng việc sản xuất GAE của họ sẽ không thể bắt đầu cho đến năm 2023 vì những vấn đề khác nhau mà họ đã gặp phải trong quá trình phát triển .
Trước khi có thông tin mới này, Samsung Electronics đã đề cập rằng quy trình GAE 3nm của họ sẽ bước vào giai đoạn mà họ gọi là “giai đoạn sản xuất rủi ro” vào cuối năm 2020, với việc sản xuất hàng loạt trong năm nay. Thật không may, công ty đang đi sau TSMC trong việc phát triển những tiến bộ trong công nghệ chip khi họ mất hợp đồng với bộ vi xử lý iPhone của Apple. TSMC đang ở vị trí quan trọng để trở thành người đầu tiên phát hành công nghệ quy trình 3nm, theo báo cáo của nhiều nhà quan sát thị trường.
Kiều Gia Huy | Nguồn: wccftech.com
